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<blockquote data-quote="ARGENTVS" data-source="post: 3404497" data-attributes="member: 93"><p>[URL unfurl="true"]https://actualidad.rt.com/actualidad/486336-imprimen-3d-primer-semiconductor-pegamento-molecular?utm_source=browser&utm_medium=aplication_chrome&utm_campaign=chrome[/URL]</p><p></p><h3>Imprimen en 3D el primer semiconductor con ayuda de un nuevo 'pegamento' molecular</h3><p></p><p>Publicado:1 nov 2023 13:16 GMT</p><p></p><p>Un grupo de investigadores de la Universidad de Tsinghua en Pekín (China) desarrollaron una nueva técnica de impresión 3D que les permitió <strong>construir el primer semiconductor con estructuras nanométricas en el mundo</strong>, <a href="https://www.scmp.com/news/china/science/article/3238380/chinese-molecular-glue-could-pave-way-advanced-3d-printed-semiconductors?module=lead_hero_story&pgtype=homepage" target="_blank">informó</a> este miércoles South Morning China Post.</p><p></p><p>La impresión 3D, también denominada fabricación aditiva, es el proceso mediante el cual se generan objetos depositando capas de material una sobre otra. <strong>La calidad de enlaces entre las cubiertas</strong> garantiza, en gran medida, la impresión correcta de una pieza.</p><p></p><p>Sin embargo, el material típicamente empleado para fabricar nanopartículas semiconductoras puede influir en su pureza y en las propiedades de sus estructuras, que son esenciales para su adecuado funcionamiento.</p><p></p><p>En una nueva investigación, recientemente <a href="https://www.nature.com/articles/d41586-023-03037-y" target="_blank">publicada</a> en la revista Nature, se describió un procedimiento para <strong>imprimir directamente semiconductores y otros objetos inorgánicos minúsculos</strong> sin la necesidad de utilizar aglutinantes o plantillas de polímeros.</p><p></p><h3><strong>Creando estructuras 3D robustas y puras</strong></h3><p>Con este nuevo enfoque, denominado por sus creadores '<strong>3D Pin'</strong>, se logró formar enlaces estables entre los nanocristales suspendidos en una mezcla de tinta coloidal con un 'pegamento' molecular. Como resultado, se formaron <strong>estructuras tridimensionales robustas y con alta pureza</strong>.</p><p></p><p>De acuerdo con los científicos, los semiconductores producidos con el método '3D Pin' conservaron sus propiedades electromagnéticas originales. Además, mencionaron que con su invención se pueden <strong>desarrollar estructuras en 3D sin acumular capas de material</strong>, en comparación con las técnicas convencionales de fabricación de circuitos integrados.</p><p></p><p>"Nuestro método tiene el potencial de ser una alternativa más rentable para fabricar dispositivos semiconductores con estructuras 3D", indicó Zhang Hao, quien sostuvo que este proceso no busca reemplazar la tecnología para la producción de circuitos integrados, sino complementarla.</p><p></p><p>Debido a su precisión y resolución de impresión, este procedimiento también puede se utilizado para imprimir estructuras complejas y específicas, como rostros humanos y edificios, así como puntos cuánticos, como los que se encuentran en pantallas de televisión de ledes y paneles solares.</p></blockquote><p></p>
[QUOTE="ARGENTVS, post: 3404497, member: 93"] [URL unfurl="true"]https://actualidad.rt.com/actualidad/486336-imprimen-3d-primer-semiconductor-pegamento-molecular?utm_source=browser&utm_medium=aplication_chrome&utm_campaign=chrome[/URL] [HEADING=2]Imprimen en 3D el primer semiconductor con ayuda de un nuevo 'pegamento' molecular[/HEADING] Publicado:1 nov 2023 13:16 GMT Un grupo de investigadores de la Universidad de Tsinghua en Pekín (China) desarrollaron una nueva técnica de impresión 3D que les permitió [B]construir el primer semiconductor con estructuras nanométricas en el mundo[/B], [URL='https://www.scmp.com/news/china/science/article/3238380/chinese-molecular-glue-could-pave-way-advanced-3d-printed-semiconductors?module=lead_hero_story&pgtype=homepage']informó[/URL] este miércoles South Morning China Post. La impresión 3D, también denominada fabricación aditiva, es el proceso mediante el cual se generan objetos depositando capas de material una sobre otra. [B]La calidad de enlaces entre las cubiertas[/B] garantiza, en gran medida, la impresión correcta de una pieza. Sin embargo, el material típicamente empleado para fabricar nanopartículas semiconductoras puede influir en su pureza y en las propiedades de sus estructuras, que son esenciales para su adecuado funcionamiento. En una nueva investigación, recientemente [URL='https://www.nature.com/articles/d41586-023-03037-y']publicada[/URL] en la revista Nature, se describió un procedimiento para [B]imprimir directamente semiconductores y otros objetos inorgánicos minúsculos[/B] sin la necesidad de utilizar aglutinantes o plantillas de polímeros. [HEADING=2][B]Creando estructuras 3D robustas y puras[/B][/HEADING] Con este nuevo enfoque, denominado por sus creadores '[B]3D Pin'[/B], se logró formar enlaces estables entre los nanocristales suspendidos en una mezcla de tinta coloidal con un 'pegamento' molecular. Como resultado, se formaron [B]estructuras tridimensionales robustas y con alta pureza[/B]. De acuerdo con los científicos, los semiconductores producidos con el método '3D Pin' conservaron sus propiedades electromagnéticas originales. Además, mencionaron que con su invención se pueden [B]desarrollar estructuras en 3D sin acumular capas de material[/B], en comparación con las técnicas convencionales de fabricación de circuitos integrados. "Nuestro método tiene el potencial de ser una alternativa más rentable para fabricar dispositivos semiconductores con estructuras 3D", indicó Zhang Hao, quien sostuvo que este proceso no busca reemplazar la tecnología para la producción de circuitos integrados, sino complementarla. Debido a su precisión y resolución de impresión, este procedimiento también puede se utilizado para imprimir estructuras complejas y específicas, como rostros humanos y edificios, así como puntos cuánticos, como los que se encuentran en pantallas de televisión de ledes y paneles solares. [/QUOTE]
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Guerra desarrollada entre Argentina y el Reino Unido en 1982
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